參數(shù)資料
型號(hào)： BF1211
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1211<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 7/16頁(yè)
文件大?。?/td> 415K
代理商： BF1211
2003 Dec 16
7
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1211; BF1211R; BF1211WR
handbook, halfpage
(mA)
0
50
0
4
8
12
16
10
20
30
40
MDB833
IG1(
μ
A)
Fig.9
Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
1
5
12
4
0
8
2
3
4
MDB834
VGG (V)
Fig.10 Drain current as a function of gate 1 supply
voltage (V
GG
); typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
R
G1
= 75 k
(connected to V
GG
); see Fig.21.
handbook, halfpage
(mA)
0
2
4
6
0
16
12
8
4
MDB835
VGG = VDS (V)
(7)
(6)
(5)
(4)
(3)
(2)
(1)
Fig.11 Drain current as a function of gate 1 (V
GG
)
and drain supply voltage; typical values.
V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C; R
G1
connected to V
GG
; see Fig.21.
(1) R
G1
= 47 k
.
(2) R
G1
= 56 k
.
(3) R
G1
= 68 k
.
(4) R
G1
= 75 k
.
(5) R
G1
= 82 k
.
(6) R
G1
= 100 k
.
(7) R
G1
= 120 k
.
handbook, halfpage
(mA)
0
2
4
6
0
16
12
8
4
MDB836
VG2-S (V)
(2)
(1)
(3)
(4)
(5)
Fig.12 Drain current as a function of gate 2
voltage; typical values.
(1) V
GG
= 5 V.
(2) V
GG
= 4.5 V.
(3) V
GG
= 4 V.
(4) V
GG
= 3.5 V.
(5) V
GG
= 3 V.
V
DS
= 5 V; T
j
= 25
C; R
G1
= 75 k
(connected to V
GG
); see Fig.21.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1211R N-channel dual-gate MOSFET
BF1211WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1211R N-channel dual-gate MOSFET
BF1211WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1212 N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1211,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1211R 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1211R,215 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
BF1211WR 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BF1211WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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