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參數(shù)資料
| 型號： | BF1207 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1207<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,; |
| 文件頁數(shù)： | 11/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | BF1207 |
BF1207
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 2 — 7 September 2011
11 of 23
NXP Semiconductors
BF1207
Dual N-channel dual gate MOSFET
8.1.2
Scattering parameters for amplifier A
Table 9.
V
DS(A)
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D(A)
= 18 mA; V
DS(B)
= 0 V; V
G1-S(B)
= 0 V; T
amb
= 25
C; typical values.
f
(MHz)
Magnitude
(ratio)
(deg)
(ratio)
(deg)
50
0.987
4.169
2.87
175.5
100
0.983
8.109
2.95
171.14
200
0.976
15.97
2.93
162.44
300
0.966
23.844
2.89
153.77
400
0.952
31.575
2.84
145.23
500
0.935
35.225
2.78
136.82
600
0.917
46.678
2.72
128.50
700
0.898
54.094
2.65
120.44
800
0.876
61.205
2.57
112.33
900
0.852
68.299
2.49
104.32
1000
0.826
75.321
2.41
96.42
Scattering parameters for amplifier A
s
11
s
21
Magnitude
s
12
Magnitude
(ratio)
0.0008
0.0015
0.0028
0.0041
0.0053
0.0063
0.0072
0.0079
0.0084
0.0089
0.0091
s
22
Magnitude
(ratio)
0.992
0.992
0.990
0.989
0.986
0.984
0.981
0.977
0.974
0.970
0.967
Angle
Angle
Angle
(deg)
83.82
82.08
77.50
73.45
69.42
65.72
61.48
58.05
52.74
48.61
43.86
Angle
(deg)
1.42
2.86
5.66
8.49
11.28
14.03
16.80
19.55
22.32
25.10
27.88
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1207 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208D | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1208 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BF1207,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1208 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET |
| BF1208 T/R | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1208,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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