參數(shù)資料
型號： BF1202WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1202WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;BF1202WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week
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代理商： BF1202WR
2010 Sep 16
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1202; BF1202R; BF1202WR
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
Fig.21 Cross-modulation test set-up.
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.26
6.52
12.99
19.39
25.65
31.76
37.68
43.42
48.94
54.25
59.34
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.50
3.01
5.95
8.86
11.79
14.65
17.41
20.10
22.69
25.27
27.90
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.988
0.988
0.984
0.977
0.965
0.951
0.936
0.919
0.903
0.887
0.870
2.989
3.017
2.990
2.949
2.913
2.853
2.793
2.727
2.664
2.593
2.518
176.2
172.5
165.0
157.6
150.3
143.2
136.3
129.5
123.0
116.7
110.5
0.0005
0.0009
0.0018
0.0027
0.0036
0.0039
0.0042
0.0044
0.0043
0.0041
0.0038
92.6
88.0
82.5
78.2
75.4
71.8
69.9
68.9
68.5
70.7
72.4
0.995
0.995
0.994
0.992
0.990
0.988
0.986
0.984
0.980
0.975
0.970
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
0.9
1.1
0.805
0.725
28.5
47.2
50
40
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