參數(shù)資料
型號(hào)： BF1201WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1201WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;BF1201WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week
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代理商： BF1201WR
2000 Mar 29
10
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1201; BF1201R; BF1201WR
PACKAGE OUTLINES
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
mm
1.1
0.9
A1
max
0.1
b1
0.88
0.78
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
HE
y
w
v
Q
2.5
2.1
0.45
0.15
0.55
0.45
e
1.9
e1
1.7
Lp
0.1
0.1
0.2
bp
0.48
0.38
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT143B
04-11-16
06-03-16
0
1
2 mm
scale
Plastic surface-mounted package; 4 leads
SOT143B
D
HE
E
A
B
v
M
A
X
A
A1
Lp
Q
detail X
c
y
w
M
e1
e
B
2
1
3
4
b1
bp
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1201R N-channel dual-gate MOSFET
BF1201WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1202 N-channel dual-gate MOSFET
BF1202 N-channel dual-gate MOSFET
BF1202R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
BF1201WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1201WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1201WR135 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF1202 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1202,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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