參數(shù)資料
型號(hào)： BF1118W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon RF switches
封裝： BF1118W<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 10/13頁
文件大小： 134K
代理商： BF1118W
BF1118_1118R_1118W_1118WR
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 1 — 29 June 2010
10 of 13
NXP Semiconductors
BF1118(R); BF1118W(R)
Silicon RF switches
10. Abbreviations
Table 9.
Acronym
AQL
MOSFET
RF
S4
VCR
11. Revision history
Table 10.
Document ID
BF1118_1118R_1118W_1118WR v.1
Abbreviations
Description
Acceptable Quality Level
Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
Radio Frequency
Special inspection level 4
VideoCassette Recorder
Revision history
Release date
20100629
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1118WR Silicon RF switches
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BF1201 N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1118W,115 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
BF1118WR,115 功能描述:RF 開關(guān) IC SILICON RF SWITCHES RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 開關(guān)數(shù)量:Single 開關(guān)配置:SPDT 介入損耗:0.6 dB 截止隔離（典型值）:43 dB 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PQFN-16 封裝:Reel
BF1125-3 功能描述:EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 EMI/RFI Suppressor Splt Fer Rnd Cbl Snp RoHS:否 制造商:Fair-Rite 產(chǎn)品:Ferrite Cores 阻抗:365 Ohms 容差: 最大直流電流: 最大直流電阻: 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 封裝 / 箱體: 端接類型:SMD/SMT
BF1125-5 功能描述:EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 EMI/RFI Suppressor Splt Fer Rnd Cbl Snp RoHS:否 制造商:Fair-Rite 產(chǎn)品:Ferrite Cores 阻抗:365 Ohms 容差: 最大直流電流: 最大直流電阻: 工作溫度范圍:- 55 C to + 125 C 封裝 / 箱體: 端接類型:SMD/SMT
BF115 制造商:Siemens 功能描述:
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