型號: | BF1105 |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | N-channel dual-gate MOSFET |
封裝: | BF1105<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,; |
文件頁數(shù): | 15/15頁 |
文件大小: | 351K |
代理商: | BF1105 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BF1105R | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1105WR | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1105R | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1105WR | N-channel dual-gate MOSFET |
BF1107 | MOSFET N-channel switching transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BF1105,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1105R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
BF1105R,215 | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BF1105WR | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs |
BF1105WR T/R | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |