參數(shù)資料
型號(hào)： BF1102R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1102R<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;BF1102R<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003
文件頁(yè)數(shù)： 3/14頁(yè)
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代理商： BF1102R
2000 Apr 11
3
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per MOS-FET unless otherwise specified
V
DS
I
D
I
G1
I
G2
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain current (DC)
gate 1 current
gate 2 current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
7
40
10
10
200
+150
150
V
mA
mA
mA
mW
C
C
T
s
102
C
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
240
K/W
handbook, halfpage
(mW)
0
50
100
200
0
200
MGS359
150
150
100
50
Ts (
°
C)
Fig.2 Power derating curve.
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PDF描述
BF1102R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1102R,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1102R,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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BF1105,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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