參數(shù)資料
型號： BF1102
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1102<SOT363 (TSSOP6)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<week 23, 2003,;
文件頁數(shù)： 10/14頁
文件大小： 370K
代理商： BF1102
2000 Apr 11
10
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FETs
BF1102; BF1102R
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
5.6
11.1
21.9
32.1
42.0
51.1
59.9
67.9
75.7
82.1
89.0
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.0
6.0
12.0
17.7
23.2
29.1
34.1
39.8
45.1
49.7
55.7
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.987
0.981
0.961
0.933
0.899
0.867
0.834
0.805
0.779
0.758
0.740
4.069
4.042
3.926
3.778
3.593
3.412
3.216
3.010
2.804
2.656
2.509
173.5
167.0
154.4
142.4
130.6
119.6
109.2
99.0
89.2
80.3
69.9
0.001
0.002
0.005
0.006
0.007
0.007
0.007
0.006
0.007
0.007
0.009
95.4
81.3
75.8
69.6
65.6
64.4
67.5
78.7
92.7
120.7
125.5
0.986
0.983
0.976
0.960
0.945
0.928
0.914
0.901
0.886
0.889
0.890
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
800
2
0.621
61.61
25.85
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