參數(shù)資料
型號(hào)： BF1101WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1101WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;BF1101WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week
文件頁(yè)數(shù)： 8/15頁(yè)
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代理商： BF1101WR
1999 May 14
8
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101; BF1101R; BF1101WR
Fig.17 Input admittance as a function of frequency;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGS311
2
10
1
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
yis
(mS)
bis
gis
Fig.18 Reverse transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGS312
2
rs
(deg)
10
2
1
10
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
|yrs|
(mS)
|yrs|
rs
Fig.19 Forward transfer admittance and phase as
a function of frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGS313
2
fs
(deg)
10
2
1
10
10
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
|yfs|
(mS)
fs
|yfs|
Fig.20 Output admittance as a function of
frequency; typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2
= 4 V.
I
D
= 12 mA; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
MGS314
10
1
1
10
10
2
10
3
f (MHz)
yos
(mS)
bos
gos
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PDF描述
BF1101R N-channel dual-gate MOSFET
BF1101WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1102 N-channel dual-gate MOSFET
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BF1101WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1102 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1102,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1102_00 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOS-FETs
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