參數(shù)資料
型號(hào)： BF1100WR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1100WR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大小： 100K
代理商： BF1100WR
1995 Apr 25
8
Philips Semiconductors
Product specification
Dual-gate MOS-FET
BF1100WR
Fig.14 Gate 1 current as a function of gate 2 voltage;
typical values.
V
DS
= 9 V.
R
G1
= 180 k
(connected to V
GG
); T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
2
4
6
40
30
10
0
20
MLD167
VG2 S
8 V
7 V
6 V
5 V
4 V
VGG
Fig.15 Gate 1 current as a function of gate 2 voltage;
typical values.
V
DS
= 12 V.
R
G1
= 250 k
(connected to V
GG
); T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
2
4
6
40
30
10
0
20
MLD168
VG2 S
11 V
10 V
9 V
8 V
7 V
VGG
Fig.16 Drain current as a function of the gate 2
voltage; typical values; see Fig.26.
V
DS
= 9 V.
R
G1
= 180 k
(connected to V
GG
); T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
2
4
6
0
MLD169
12
8
4
8 V
7 V
6 V
5 V
4 V
VGG
VG2 S
V
DS
= 12 V.
R
G1
= 250 k
(connected to V
GG
); T
j
= 25
°
C.
Fig.17 Drain current as a function of the gate 2
voltage; typical values; see Fig.26.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
2
4
6
0
MLD170
12
8
4
11 V
10 V
9 V
8 V
7 V
VGG
VG2 S
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PDF描述
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1101 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
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BF1101R 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1101R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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