參數(shù)資料
型號(hào)： BDY182
英文描述： Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:20Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:26VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:500A; Clamping Voltage 8/20us Max :65V; Peak Energy (10/1000uS):3J; Capacitance, Cd:2700pF
中文描述： NPN硅晶體管。漫射梅薩
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： BDY182
COMSET SEMICONDUCTORS
1/4
BDY23, 180 T2
BDY24, 181 T2
BDY25, 182 T2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Ratings
Value
60
90
140
60
100
200
Unit
BDY23, 180T2
BDY24, 181T2
BDY25, 182T2
BDY23, 180T2
BDY24, 181T2
BDY25, 182T2
BDY23, 180T2
BDY24, 181T2
BDY25, 182T2
BDY23, 180T2
BDY24, 181T2
BDY25, 182T2
BDY23, 180T2
BDY24, 181T2
BDY25, 181T2
BDY23, 180T2
BDY24, 181T2
BDY25, 182T2
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage
10
V
I
C
Collector Current
6
A
I
B
Base Current
3
A
P
TOT
Power Dissipation
@ T
C
= 25°
87.5
Watts
T
J
Junction Temperature
T
Stg
Storage Temperature
BDY23, 180T2
BDY24, 181T2
BDY25, 182T2
200
-65 to +200
°C
LF Large Signal Power Amplification
High Current Fast Switching
NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDY183 Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:20Vrms; Voltage Rating DC, Vdc:26VDC; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:1000A; Clamping Voltage 8/20us Max :65V; Peak Energy (10/1000uS):6J; Capacitance, Cd:6000pF
BDY184 VARISTOR, 150J 21VAC
BDY185 NPN Silicon Transistors. Diffused MESA
BDY23B TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-3
BDY24C Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
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參數(shù)描述
BDY183 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Silicon Transistors. Diffused MESA
BDY184 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Silicon Transistors. Diffused MESA
BDY185 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Silicon Transistors. Diffused MESA
BDY20 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device
BDY23 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor
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