型號: | BDV65B |
廠商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
中文描述: | 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
封裝: | PLASTIC, CASE 340D-02, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 105K |
代理商: | BDV65B |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BDV65B/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
BDV65B_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
BDV65B_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Darlingtons |
BDV65BG | 功能描述:達林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
BDV65B-S | 功能描述:達林頓晶體管 100V 12A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |