參數(shù)資料
型號： BD743A
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： NPN硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： BD743A
BD743, BD743A, BD743B, BD743C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
4
AUGUST 1978 - REVISED MARCH 1997
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS
Figure 4.
THERMAL INFORMATION
Figure 5.
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector-Emitter Voltage - V
1·0
10
100
1000
I
C
0·01
0·1
1·0
10
100
SAS637AA
BD743
BD743A
BD743B
BD743C
t
p
= 1 ms,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 10 ms,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 50 ms,
d = 0.1 = 10%
DC Operation
MAXIMUM POWER DISSIPATION
vs
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature - °C
0
25
50
75
100
125
150
P
t
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
TIS637AA
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PDF描述
BD743B NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD743C NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD744C(PI) TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR
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參數(shù)描述
BD743A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 15A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD743B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 90W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD743B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 15A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD743C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 90W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD743C(PI) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR
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