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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BD682 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管) |
| 中文描述： | 互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管（互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/6頁(yè) |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | BD682 |
BD677/A/679/A/681
BD678/A/680/A/682
COMPLEMENTARY SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARYPNP - NPN DEVICES
I
MONOLITHIC DARLINGTON
CONFIGURATION
I
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATION
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BD677, BD677A, BD679, BD679A and
BD681 are silicon epitaxial-base NPN power
transistors in monolithic Darlington configuration
mounted in Jedec SOT-32 plasticpackage.
They are intended for use in medium power linar
and switching applications
The complementary PNP types are BD678,
BD678A,
BD680,
BD680A
respectively.
and
BD682
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
R
1
Typ.= 7K
R
2
Typ.= 230
September 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD679/A
BD680/A
80
80
5
4
6
0.1
40
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
BD677/A
BD678/A
60
60
BD681
BD682
100
100
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
3
21
SOT-32
1/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD707 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD708 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD709 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD711 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD712 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD682A | 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:PNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS |
| BD682G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682S | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682STU | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BD682T | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 100V 40W PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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