型號(hào): | BD534FP |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220FP |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 45V的五(巴西)總裁| 8A條一(c)|至220FP |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 144K |
代理商: | BD534FP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BD534K | Triac; Triac Type:Internally Triggered; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):15A; Gate Trigger Current (QI), Igt:25uA; Package/Case:TO-220; Gate Trigger Current Max, Igt:1.5A |
BD535J | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
BD535K | Triac; Triac Type:Alternistor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):16A; Gate Trigger Current (QI), Igt:20mA; Package/Case:3-TO-220; Current, It av:16A; Gate Trigger Current Max, Igt:20mA |
BD536J | Triac; Triac Type:Alternistor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):25A; Gate Trigger Current (QI), Igt:80mA; Package/Case:3-TO-218X; Current, It av:25A; Gate Trigger Current Max, Igt:80mA |
BD536K | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BD534J | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD534K | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD534KTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD535 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD5350 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:VOLTAGE DETECTOR IC with adjustable delay time |