型號: | BD442 |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
中文描述: | Complemetary硅功率晶體管(互補硅功率晶體管) |
文件頁數: | 1/4頁 |
文件大?。?/td> | 69K |
代理商: | BD442 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BD440 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
BD533FP | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
BD534FP | Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
BD537 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
BD536 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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BD442G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD442S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD442STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BD449 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS |
BD45000 | 功能描述:以太網和電信連接器 RJ CRIMPING TOOL RoHS:否 制造商:Pulse 產品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點數量: 安裝風格:Through Hole 端口數量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級: |