參數(shù)資料
型號(hào)： BD434
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： BD434
BD433/5/7
BD434/6/8
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The BD433, BD435, and BD437 are silicon
epitaxial-base NPN power transistors in Jedec
SOT-32 plastic package, intented for use in
medium power linear and switching applications.
The BD433 is especially suitable for use in
car-radio output stages.
The complementary PNP types are BD434,
BD436, and BD438 respectively.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD435
BD436
32
32
32
5
4
7
1
36
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
BD433
BD434
22
22
22
BD437
BD438
45
45
45
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
≤
10 ms)
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤ 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
3
21
SOT-32
1/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD435 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD436 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD437 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD438 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
BD439 Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD434 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126
BD434S 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD434STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD435 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD435 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126
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