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參數(shù)資料
| 型號： | BD242A |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(3A,40W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（第3A，功率40W） |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | BD242A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD242B | POWER TRANSISTORS(3A,40W) |
| BD242C | POWER TRANSISTORS(3A,40W) |
| BD242A | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD242B | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD242C | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD242A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 3A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD242ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD242B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD242BFI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
| BD242BFP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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