參數(shù)資料
型號： BD139
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NPN SILICON TRANSISTORS
中文描述： NPN硅三極管
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BD139
1999 Apr 12
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD135; BD137; BD139
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to TO-126; SOT32 standard mounting conditions.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
note 1
100
10
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 30 V; T
j
= 125
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
V
CE
= 2 V; (see Fig.2)
I
C
= 5 mA
I
C
= 150 mA
I
C
= 500 mA
I
C
= 150 mA; V
CE
= 2 V;
(see Fig.2)
100
10
100
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
40
63
25
250
DC current gain
BD135-10; BD137-10; BD139-10
BD135-16; BD137-16; BD139-16
collector-emitter saturation voltage
base-emitter voltage
transition frequency
63
100
190
160
250
0.5
1
V
CEsat
V
BE
f
T
I
C
= 500 mA; I
B
= 50 mA
I
C
= 500 mA; V
CE
= 2 V
I
C
= 50 mA; V
CE
= 5 V;
f = 100 MHz
I
C
= 150 mA;
V
CE
= 2 V
V
V
MHz
DC current gain ratio of the
complementary pairs
1.3
1.6
h
FE2
h
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PDF描述
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