參數(shù)資料
型號： BD139
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistors
中文描述： 1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BD139
1999 Apr 12
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD135; BD137; BD139
FEATURES
High current (max. 1.5 A)
Low voltage (max. 80 V).
APPLICATIONS
Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits.
DESCRIPTION
NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic
package. PNP complements: BD136, BD138 and BD140.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
emitter
collector, connected to metal part of
mounting surface
base
3
Fig.1
Simplified outline (TO-126; SOT32) and
symbol.
handbook, halfpage
MAM254
1
2
3
Top view
1
2
3
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BD135
BD137
BD139
collector-emitter voltage
BD135
BD137
BD139
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
45
60
100
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
45
60
80
5
1.5
2
1
8
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
mb
≤
70
°
C
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PDF描述
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