參數(shù)資料
型號： BD139-16
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistors
中文描述： 1.5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： BD139-16
1999 Apr 12
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD135; BD137; BD139
Fig.2 DC current gain; typical values.
handbook, full pagewidth
0
10
1
80
120
40
MBH729
hFE
1
IC (mA)
10
10
3
10
2
VCE = 2 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD137-10 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Brown; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes
BD137-16 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes
BD139 NPN SILICON TRANSISTORS
BD179-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225AA
BD179 NPN SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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BD13916STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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