- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369446 > BD137-16 (NXP SEMICONDUCTORS) Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BD137-16 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-126, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | BD137-16 |
1999 Apr 12
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD135; BD137; BD139
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD139 | NPN SILICON TRANSISTORS |
| BD179-16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225AA |
| BD179 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| BD180-10 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| BD175-10 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:12V; Holding Current:50mA RoHS Compliant: NA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD13716S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD13716STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD137-25 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| BD137-6 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN SILICON TRANSISTORS |
| BD1376S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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