參數(shù)資料
型號: BD137-10
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Brown; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes
中文描述: 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 44K
代理商: BD137-10
1999 Apr 12
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN power transistors
BD135; BD137; BD139
PACKAGE OUTLINE
UNIT
b
p
c
D
E
e1
L
Q
w
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
0.88
0.65
2.7
2.3
0.60
0.45
11.1
10.5
7.8
7.2
2.29
e
4.58
0.254
P
3.2
3.0
P1
3.9
3.6
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
Note
1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.
16.5
15.3
1.5
0.9
L1
(1)
max
2.54
SOT32
TO-126
97-03-04
0
2.5
5 mm
scale
A
Plastic single-ended leaded (through hole) package; mountable to heatsink, 1 mounting hole; 3 leads
SOT32
D
P1
P
E
e1
A
L
Q
c
bp
1
2
3
L1
w
M
e
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD137-16 Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Color:Red; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Styles 1007, 1565; CSA Types TR-64, TRSR-64; JQA-F; Passes VW-1 Flame Test RoHS Compliant: Yes
BD139 NPN SILICON TRANSISTORS
BD179-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225AA
BD179 NPN SILICON TRANSISTOR
BD180-10 TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD13710S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD13710STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD137-16 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN power transistors
BD13716S 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD13716STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2