參數(shù)資料
型號： BCY79-VII
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON TRANSISTOR
中文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BCY79-VII
(SEE REVERSE SIDE)
R3
BCY78, VII, VIII, IX, X
BCY79, VII, VIII, IX, X
PNP SILICON TRANSISTOR
JEDEC TO-18 CASE
DATA SHEET
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCY78, BCY79 Series types are Silicon PNP Epitaxial Planar Transistors,
mounted in a hermetically sealed metal case, designed for low noise amplifier and switching applications.
MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Collector Current (Peak)
ICM
Base Current (Peak)
IBM
Power Dissipation
PD
Power Dissipation(TC=25°C)
PD
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
Thermal Resistance
Θ
JA
Thermal Resistance
Θ
JC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
VCB= Rated VCBO
ICBO
VCB= Rated VCBO, TA=150°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=10μA (BCY78)
BVCBO
IC=10μA (BCY79)
BVCEO
IC=2.0mA (BCY78)
BVCEO
IC=2.0mA (BCY79)
BVEBO
IE=1.0μA
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=250μA
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=2.5mA
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=250μA
VBE(SAT)
IC=100mA, IB=2.5mA
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=2.0mA
BCY78-VII
BCY79-VII
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
hFE
VCE=5.0V, IC=10μA
140 TYP
hFE
VCE=5.0V, IC=2.0mA
120
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
80
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
40
BCY78
32
32
BCY79
45
45
UNITS
V
V
V
mA
mA
mA
mW
W
5.0
100
200
200
340
1.0
-65 to +200
450
150
°C
°C/W
°C/W
MIN
32
45
32
45
5.0
0.60
0.70
0.60
1.20
0.75
MAX
15
10
20
0.25
0.80
0.85
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
BCY78-VIII
BCY79-VIII
MIN
30
180
120
45
BCY78-IX
BCY79-IX
MIN
40
250
160
60
BCY78-X
BCY79-X
MIN
100
380
240
60
MAX
MAX
310
400
MAX
460
630
MAX
220
630
1000
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PDF描述
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參數(shù)描述
BCY79VIII 功能描述:兩極晶體管 - BJT RO 511-2N4033 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCY79-VIII 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR
BCY79X 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-206AA
BCY79-X 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR
BCY79ザ 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS
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