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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCY77-8 |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | BCY77-8 |
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)
DESCRIPTION
BCY77-79
VALUE
SYMBOL TEST CONDITION
UNIT
Collector Emitter Saturation Voltage
VCE(Sat) IC=10mA,IB=0.25mA
IC=50mA,IB=1.25mA (2)
IC=100mA,IB=2.5mA (1)
VBE(Sat) IC=10mA,IB=0.25mA
IC=50mA,IB=1.25mA (2)
IC=100mA,IB=2.5mA (1)
hFE
IC=10uA, VCE=5V
V
V
V
V
V
V
Base Emitter Saturation Voltage
DC Current
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
10
>30
>40
>100
120-220
180-310
250-460
Only BCY78/79
IC=2mA, VCE=5V
Only BCY78/79
IC=10mA, VCE=1V
>80
120-400
160-630
240-1000
Only BCY78/79
IC=100mA, VCE=1V (1)
>40
>45
>60
>60
>40
>45
>60
125-250
175-350
Only BCY78/79
IC=50mA, VCE=1V (2)
Small Signal Current Gain
hfe
IC=2mA,VCE=5V, f=1kHz
250-500
350-700
1.6-4.5
2.5-6.0
Only BCY78/79
IC=2mA,VCE=5V, f=1kHz
Input Impedance
hie
kohms
Only BCY78/79
IC=2mA,VCE=5V, f=1kHz
Voltage Feedback Ratio
hre
X10-4
Only BCY78/79
IC=2mA,VCE=5V, f=1kHz
Output Admittance
hoe
<30
<50
<60
<100
umhos
Only BCY78/79
TYP2.0
TYP 3.0
3.2-8.5
TYP 7.5
TYP1.5
TYP2.0
380-630
TYP140
<0.80
0.60-0.85
0.70-1.2
0.70-1.2
<0.25
<0.80
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCY77-9 | BJT |
| BCY77IX | SURGE ARRESTER GDT 110V AXIAL |
| BCY77VII | SURGE ARRESTER GDT 110V SMD |
| BCY77VIII | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| BCY78-7 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCY77-9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| BCY77A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| BCY77B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| BCY77IX | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
| BCY77VII | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-18 |
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