參數(shù)資料
型號(hào)： BCX70K
廠商： DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述： Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述： 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 42K
代理商： BCX70K
1999 Apr 15
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BCX70 series
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 45 V
I
E
= 0; V
CB
= 45 V; T
amb
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 10
μ
A; V
CE
= 5 V
20
20
20
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BCX70G
BCX70H
BCX70J
BCX70K
DC current gain
BCX70G
BCX70H
BCX70J
BCX70K
DC current gain
BCX70G
BCX70H
BCX70J
BCX70K
collector-emitter saturation
voltage
40
30
100
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
120
180
250
380
220
310
460
630
I
C
= 50 mA; V
CE
= 1 V
50
70
90
100
50
100
600
700
550
100
520
650
780
1.7
11
250
350
550
850
1050
750
V
CEsat
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.25 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 1.25 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 0.25 mA
I
C
= 50 mA; I
B
= 1.25 mA
I
C
= 10
μ
A; V
CE
= 5 V
I
C
= 2 mA; V
CE
= 5 V
I
C
= 50 mA; V
CE
= 1 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 5 V; f = 100 MHz;
note 1
I
C
= 200
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 2 k
;
f = 1 kHz; B = 200 Hz
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
V
BE
base-emitter voltage
C
c
C
e
f
T
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
F
noise figure
2
6
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX70 ECONOLINE: RJ & RG - Dual Output from a Single Input Rail - 3kVDC & 4kVDC Isolation - Optional Continuous Short Circuit Protected - Custom Solutions Available - UL94V-0 Package Material - Efficiency to 84%
BCX70J Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCX70KLT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BCX70JLT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BCX70GLT1 General Purpose Transistors(NPN Silicon)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX70K /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX70K SB36825/E9 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage
BCX70K T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX70K,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX70K,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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