參數(shù)資料
型號(hào): BCX70GR-AW
廠商: Zetex Semiconductor
英文描述: SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
中文描述: 采用SOT23 NPN硅平面小信號(hào)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 7/8頁(yè)
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代理商: BCX70GR-AW
1999 Apr 15
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BCX70 series
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX70H SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX70HR ECONOLINE: RJ & RG - Dual Output from a Single Input Rail - 3kVDC & 4kVDC Isolation - Optional Continuous Short Circuit Protected - Custom Solutions Available - UL94V-0 Package Material - Efficiency to 84%
BCX70G-AG SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX70H-AH SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BCX70 SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX70GT/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
BCX70H 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX70H /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX70H T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX70H,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2