參數(shù)資料
型號： BCX56-BH
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
中文描述： SOT89 NPN硅平面中功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BCX56-BH
BCX56–10R1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100
μ
Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
100
–
–
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
80
–
–
Vdc
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
= 10
μ
Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
–
–
Vdc
Collector-Base Cutoff Current
(V
CB
= 30 Vdc, I
E
= 0)
I
CBO
–
–
100
nAdc
Emitter-Base Cutoff Current
(V
EB
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
–
–
10
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS
(Note 3.)
DC Current Gain
(I
C
= 5.0 mA, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 150 mA, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 500 mA, V
CE
= 2.0 V)
h
FE
25
63
25
–
–
–
–
160
–
–
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 50 mAdc)
V
CE(sat)
–
–
0.5
Vdc
Base-Emitter On Voltage
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 2.0 Vdc)
V
BE(on)
–
–
1.0
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current-Gain – Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 35 MHz)
3. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
f
T
–
130
–
MHz
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
h
100
10
1000
100
10
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 1. DC Current Gain
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= -55
°
C
1000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX58-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
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BCX59-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BCX59VII TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
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