參數(shù)資料
型號(hào)： BCX56-6
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 1A條一（c）|采用SOT - 89
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： BCX56-6
SOT89 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996
%
PARTMARKING DETAILS:-
BCX54 – BA
BCX55 – BE
BCX56 – BH
BCX54-10 – BC
BCX55-10 – BG
BCX56-10 – BK
BCX54-16 – BD
BCX55-16 – BM
BCX56-16 – BL
COMPLEMENTARY TYPES:-
BCX54 – BCX51 BCX55 – BCX52 BCX56 – BCX53
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
BCX54
BCX55
BCX56
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
45
60
100
V
Collector-Emitter Voltage
45
60
80
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
1
W
-65 to +150
°C
MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
BCX54
BCX55
BCX56
V
(BR)CBO
45
60
100
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
BCX54
BCX55
BCX56
V
(BR)CEO
45
60
80
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
CBO
5
V
I
E
=10
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
V
EB
=4V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=5mA, V
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
MHz I
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
Collector Cut-Off Current
0.1
20
μ
A
μ
A
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
20
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage V
CE(sat)
Base-Emitter Turn-On Voltage
0.5
V
V
BE(on)
h
FE
1.0
V
Static Forward Current Transfer
Ratio
–10
–16
25
40
25
63
100
250
160
250
Transition Frequency
f
T
150
Output Capacitance
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
C
obo
15
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
BCX54
BCX55
BCX56
C
C
B
E
3 - 35
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX54 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
BCX55 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
BCX55 SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX55-10-BG SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX55-16-BM SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX56-BH 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX56E6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BCX56E6327HTSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR NPN AF 80V SOT-89
BCX56E6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BCX56H6327XTSA1 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT89 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000
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