參數(shù)資料
型號(hào)： BCX54-16
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
封裝： BCP54<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP54<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP5
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代理商： BCX54-16
1.
Product profile
1.1 General description
NPN medium power transistor series.
[1]
Valid for all available selection groups.
[2]
Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see
Section 2
).
1.2 Features
I
High current
I
Two current gain selections
I
High power dissipation capability
1.3 Applications
I
Linear voltage regulators
I
Low side switches
I
MOSFET drivers
I
Amplifiers
1.4 Quick reference data
BC635; BCP54; BCX54
45 V, 1 A NPN medium power transistors
Rev. 07 — 4 June 2007
Product data sheet
Table 1.
Type number
[1]
Product overview
Package
NXP
SOT54
SOT223
SOT89
PNP complement
JEITA
SC-43A
SC-73
SC-62
JEDEC
TO-92
-
TO-243
BC635
[2]
BCP54
BCX54
BC636
BCP51
BCX51
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
h
FE
selection -10
h
FE
selection -16
Conditions
open base
Min
-
-
-
63
63
100
Typ
-
-
-
-
-
-
Max
45
1
1.5
250
160
250
Unit
V
A
A
single pulse; t
p
≤
1 ms
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP55
BCX55
BCX55-10
BCR5PM-12LG-A8 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
BCU81-SMD NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX54-16 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX54-16 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 45V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
BCX54-16,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 45V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX54-16,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX54-16115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER NPN 4
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