參數(shù)資料
型號： BCX54-10
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 45 V, 1 A NPN medium power transistors
中文描述： 45伏，1安NPN型中等功率晶體管
封裝： BC54-10PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC54-16PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1
文件頁數(shù)： 4/22頁
文件大小： 1113K
代理商： BCX54-10
BCP54_BCX54_BC54PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 21 October 2011
4 of 22
NXP Semiconductors
BCP54; BCX54; BC54PA
45 V, 1 A NPN medium power transistors
5. Limiting values
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
[4]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated and standard footprint.
[5]
Device mounted on an FR4 PCB, 4-layer copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
45
45
5
1
2
Unit
V
V
V
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
I
B
I
BM
base current
peak base current
-
-
0.3
0.3
A
A
single pulse;
t
p
1 ms
T
amb
25
C
P
tot
total power dissipation
BCP54
[1]
-
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
[2]
-
[3]
-
BCX54
[1]
-
[2]
-
[3]
-
BC54PA
[1]
-
[2]
-
[3]
-
[4]
-
[5]
-
T
j
T
amb
T
stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
55
65
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX54-16 45 V, 1 A NPN medium power transistors
BF1100WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1100WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
BF1100 N-channel dual-gate MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX54-10 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX54-10,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX54-10115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MED PWR N 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT89
BCX54-10-BC 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX5410E6327 功能描述:TRANS NPN AF 45V SOT-89 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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