型號: | BCX5216 |
英文描述: | Obsolete - alternative part: BCX5316 |
中文描述: | 過時-替代部分:BCX5316 |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大小: | 171K |
代理商: | BCX5216 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BCX52-6 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
BCX5310 | Obsolete - alternative part: BCX5316 |
BCX53-6 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89 |
BCX51 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
BCX51 | SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCX52-16 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-89 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP 1A 60V SOT89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-89 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 1A, 60V, SOT89 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:145MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR, PNP, 1A, 60V, SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency Typ ft:125MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:250 ;RoHS Compliant: Yes |
BCX52-16 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCX52-16,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCX52-16,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 60V 1A 4-Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCX52-16115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER PNP - |