參數(shù)資料
型號： BCX17T/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BCX17T/R
2004 Jan 16
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BCX17; BCX18
CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified.
Note
1.
VBE decreases by approximately 2 mV/°C with increasing temperature.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN. TYP. MAX. UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 20 V
100 nA
IE = 0; VCB = 20 V; Tj = 150 °C
5
μA
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 5 V
100 nA
hFE
DC current gain
IC = 100 mA; VCE = 1 V
100
600
IC = 300 mA; VCE = 1 V
70
IC = 500 mA; VCE = 1 V
40
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
IC = 500 mA; IB = 50 mA
620 mV
VBE
base-emitter voltage
IC = 500 mA; VCE = 1 V; note 1
1.2
V
Cc
collector capacitance
IE = Ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz
9
pF
fT
transition frequency
IC = 10 mA; VCE = 5 V; f = 100 MHz
80
MHz
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