型號: | BCW71TR |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 93K |
代理商: | BCW71TR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BCW70TR13 | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BCW70TR | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BCW69BK | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BCW68FBK | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
BCW68FBKLEADFREE | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCW72 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, SOT-23 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 0.1A, 45V, SOT23 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 0.1A, 45V, SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:150 ;RoHS Compliant: Yes |
BCW72 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW72 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW72,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW72,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |