參數(shù)資料
型號(hào)： BCW6OALT1
英文描述： NPN Silicon General Purpose Transistors
中文描述： NPN硅通用晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 425K
代理商： BCW6OALT1
5
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
Figure 13. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
200
Figure 14. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
5.0
10
20
30
50
1000
700
Figure 15. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 18. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0
1.0
500
0.5
10
t
t
f
T
h
o
h
)
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
7.0
70
100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
td @ VBE(off) = 0.5 Vdc
tr
10
20
30
50
70
100
200
300
500
2.0
5.0
10
20
30
50
3.0
1.0
7.0
70 100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25
°
C
ts
tf
50
70
100
200
300
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
TJ = 25
°
C
f = 100 MHz
VCE = 20 V
5.0 V
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0.05
TJ = 25
°
C
f = 1.0 MHz
Cib
Cob
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.2
100
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
0.1
0.2
0.5
hfe
≈
200 @ IC = 1.0 mA
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
2.0
5.0
10
20
50
1.0
2.0
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
0.1
0.2
0.5
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25
°
C
hfe
≈
200 @ IC = 1.0 mA
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BCW70,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW70,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW70 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
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