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參數(shù)資料
| 型號： | BCW69LT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（民進黨硅） |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | BCW69LT1 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW6OALT1 | NPN Silicon General Purpose Transistors |
| BCW71L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW72L | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW71-MR | TRANSISTOR BCW71 MINIREEL 500PCS |
| BCW71 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW69LT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistors |
| BCW69R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BCW69T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW69TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW69TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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