型號: | BCW67ALR |
英文描述: | BJT |
中文描述: | 雙極型晶體管 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 107K |
代理商: | BCW67ALR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BCW68FL | BJT |
BCW68FLR | BJT |
BCW70LR | BJT |
BCW72LR | BJT |
BCW29L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BCW67AR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
BCW67AR-4W | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
BCW67ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW67ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCW67B | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon AF Transistors |