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參數(shù)資料
| 型號： | BCW65CR |
| 英文描述： | Resettable Fuse; Operating Voltage Max:6V; Resistance:0.137ohm; Holding Current:1.5uA; Tripping Current:3uA; Initial Resistance Min:0.032ohm; Leaded Process Compatible:No; Mounting Type:Surface Mount; Package/Case:1812 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 32V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | BCW65CR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW65AR | DIODE TVS 7.5V 1.5KW UNI-DIR |
| BCW65BR | FUSE- POLYSWITCH RESET .75A@20 DEG C 13.5V SMD 1812 |
| BCW65A | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW65B | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW65C | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW65CRTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW65CRTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW65CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW65CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW65R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-236 |
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