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參數(shù)資料
| 型號： | BCW65AR |
| 英文描述： | DIODE TVS 7.5V 1.5KW UNI-DIR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 32V的五（巴西）總裁| 800mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 90K |
| 代理商： | BCW65AR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW65BR | FUSE- POLYSWITCH RESET .75A@20 DEG C 13.5V SMD 1812 |
| BCW65A | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW65B | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW65C | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW65 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW65ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW65ATC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW65B | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| BCW65BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| BCW65BLR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
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