參數(shù)資料
型號(hào): BCW65
廠(chǎng)商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 小信號(hào)晶體管
英文描述: 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 95K
代理商: BCW65
CentralTM
Semiconductor Corp.
www .centralsemi.com
Small Signal Transistors U.S Specifications (Preferred Series)
SOT-23 Case, 350mW
Darlington Devices are listed in order of descending hFE.
NPN
Chopper Transistor
PNP
CMPT6427
CMPTA14
CMPTA14E
CMPTA13
CMPTA27
CMPTA29
40
30
40
30
60
100
40
30*
40*
30*
60*
100*
12
10
12
50
100
100
100
30
40
30
50
80
20,000
40,000
10,000
200,000
-
5.0
100
1.5
1.0
1.5
500
100
7.0
-
8.0
130
125
10
-
PNP
CMPTA64
CMPTA63
CMPTA77
30
60
30*
60*
10
100
30
50
20,000
10,000
-
5.0
100
1.5
100
-
125
-
CMPT404A
40
35
25
100
10
100
400
0.15
12
0.20
24
40
-
RF Oscillator Devices are listed in order of descending fT.
NPN
CMPT5179
CMPTH10
CMPT918
20
30
12
25
15
2.5
3.0
20
100
10
15
25
15
25
60
20
-
1.0
10
1.0
3.0
4.0
3.0
0.4
0.5
0.4
10
4.0
10
1.0
0.7
1.7
900
650
600
4.5
-
6.0
-
CMPTH81
20
3.0
100
10
60
-
10
5.0
0.5
5.0
0.85
600
-
PNP
TYPE NO.
BVCBO
(V)
MIN
BVCEO
*BVCES
(V)
MIN
BVEBO
(V)
MIN
ICBO @ VCB
*ICEV @ VCE
(nA)
(V)
MAX
hFE
@ VCE
@ IC
(V)
(mA)
MIN
MAX
VCE (SAT) @ IC
(V)
(mA)
MAX
Cob
(pF)
MAX
fT
(MHz)
MIN
NF
(dB)
MAX
toff
(ns)
MAX
BOLD data indicates Enhanced Specification
Shaded areas indicate Darlington.
Indicates Enhanced Specification Device
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PDF描述
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BCW65ALT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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