參數(shù)資料
型號： BCW33LR
英文描述： FUSE 100A 32V MIDI BOLT-ON
中文描述： 晶體管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 107K
代理商： BCW33LR
相關PDF資料
PDF描述
BCW60DL BJT
BCW60DLR BJT
BCW61CLR BJT
BCW65AL DIODE TVS 33V 1500W 5% UNI AXL
BCW65ALR DIODE TVS 400V 1500W 5% UNI AXL
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BCW33LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW33LT1/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor NPN
BCW33LT1D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
BCW33LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW33LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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