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參數(shù)資料
| 型號： | BCV64 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | ECONOLINE: REZ - Cost Effective- 1kVDC & 2kVDC Isolation- Custom Solutions Available- No Extern. Components Required- UL94V-0 Package Material- Efficiency to 85% |
| 中文描述： | 100 mA, 30 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | BCV64 |
1999 May 21
2
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose double transistor
BCV64B
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 30 and 6 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification
For use in Schmitt-trigger applications.
DESCRIPTION
PNP double transistor in a SOT143B plastic package.
NPN complement: BCV63B.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
4
collector TR2 and base TR1
collector TR1
emitter TR1 and TR2
base TR2
Fig.1 Simplified outline (SOT143B) and symbol.
handbook, halfpage
1
2
3
MAM291
Top view
2
1
3
4
TR2
TR1
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
BCV64B
C96
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on a printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
TR1
TR2
collector-emitter voltage
TR1
TR2
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
base current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
30
6
V
V
V
CEO
open base
65
65
30
6
6
100
200
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCV65B | TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143 |
| BCW30CSM | PNP |
| BCW32CSM | FUSEHOLDER 18POLE ALRM-IND PNLMT |
| BCW30L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW65CL | PTC 1.50A 6VDC RESETTABLE 1812L |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BCV65 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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