型號(hào): | BCV61CQ62702-C2157 |
英文描述: | TRANSISTOR DUAL SOT 143 5ST |
中文描述: | 雙晶體管采用SOT 143 5ST |
文件頁(yè)數(shù): | 5/5頁(yè) |
文件大小: | 95K |
代理商: | BCV61CQ62702-C2157 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BCV62CQ62702-C2160 | TRANSISTOR DUAL SOT 143 5ST |
BCV64 | ECONOLINE: REZ - Cost Effective- 1kVDC & 2kVDC Isolation- Custom Solutions Available- No Extern. Components Required- UL94V-0 Package Material- Efficiency to 85% |
BCV65B | TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143 |
BCW30CSM | PNP |
BCW32CSM | FUSEHOLDER 18POLE ALRM-IND PNLMT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BCV61T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | ARRAY | BLDG BLOCK | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-143 |
BCV62 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP Silicon Double Transistor |
BCV62 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MATCHED PAIR TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCV62 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BCV62,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |