型號: | BCR50A4 |
英文描述: | TRIAC|200V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8 |
中文描述: | 可控硅| 200伏五(DRM)的| 50A條口(T)的有效值|到208VARM8 |
文件頁數(shù): | 6/6頁 |
文件大?。?/td> | 464K |
代理商: | BCR50A4 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
BCR50A8 | FUSE 1A FA SMT 1206 |
FB100D24 | TRIAC|1.2KV V(DRM)|100A I(T)RMS|TO-200AB |
FB100D4 | TRIAC|200V V(DRM)|100A I(T)RMS|TO-200AB |
FB100D8 | TRIAC|400V V(DRM)|100A I(T)RMS|TO-200AB |
FB300D12 | TRIAC|600V V(DRM)|300A I(T)RMS|TO-200VAR50 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
BCR50A8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|400V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8 |
BCR512 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor NPN 4.7K 4.7K 50V 500mA SOT23 |
BCR512_07 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon Digital Transistor |
BCR512B6327XT | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Silicon Digital TRANSISTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
BCR512E6327 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |