參數資料
型號: BCR50A16
英文描述: TRIAC|800V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8
中文描述: 可控硅| 800V的五(DRM)的| 50A條口(T)的有效值|到208VARM8
文件頁數: 5/6頁
文件大?。?/td> 464K
代理商: BCR50A16
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料
PDF描述
BCR50A4 TRIAC|200V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8
BCR50A8 FUSE 1A FA SMT 1206
FB100D24 TRIAC|1.2KV V(DRM)|100A I(T)RMS|TO-200AB
FB100D4 TRIAC|200V V(DRM)|100A I(T)RMS|TO-200AB
FB100D8 TRIAC|400V V(DRM)|100A I(T)RMS|TO-200AB
相關代理商/技術參數
參數描述
BCR50A4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|200V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8
BCR50A8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRIAC|400V V(DRM)|50A I(T)RMS|TO-208VARM8
BCR512 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Transistor NPN 4.7K 4.7K 50V 500mA SOT23
BCR512_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon Digital Transistor
BCR512B6327XT 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Silicon Digital TRANSISTOR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel