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參數(shù)資料
| 型號： | BCP54-16 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| 中文描述： | 45伏，1安NPN型中等功率晶體管 |
| 封裝： | BC54-10PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC54-16PA<SOT1061 (DFN1608D-2)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1 |
| 文件頁數(shù)： | 5/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 1113K |
| 代理商： | BCP54-16 |
BCP54_BCX54_BC54PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 21 October 2011
5 of 22
NXP Semiconductors
BCP54; BCX54; BC54PA
45 V, 1 A NPN medium power transistors
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 6 cm
2
(2) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
(3) FR4 PCB, standard footprint
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 6 cm
2
(2) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm
2
(3) FR4 PCB, standard footprint
Fig 1.
Power derating curves SOT223
Fig 2.
Power derating curves SOT89
(1) FR4 PCB, 4-layer copper, mounting pad for collector 1 cm
2
(2) FR4 PCB, single-sided copper, mounting pad for collector 6 cm
2
(3) FR4 PCB, single-sided copper, mounting pad for collector 1 cm
2
(4) FR4 PCB, 4-layer copper, standard footprint
(5) FR4 PCB, single-sided copper, standard footprint
Fig 3.
Power derating curves SOT1061
T
amb
(°C)
–75
175
125
25
75
–25
006aac674
0.5
1.0
1.5
P
tot
(W)
0.0
(1)
(2)
(3)
T
amb
(°C)
–75
175
125
25
75
–25
006aac675
0.5
1.0
1.5
P
tot
(W)
0.0
(1)
(2)
(3)
T
amb
(°C)
–75
175
125
25
75
–25
006aac676
1.0
0.5
1.5
2.0
P
tot
(W)
0.0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX54 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| BCX54-10 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| BCX54-16 | 45 V, 1 A NPN medium power transistors |
| BF1100WR | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1100WR | N-channel dual-gate MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCP54-16 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54-16 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54-16,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54-16,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54-16115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER NPN 4 |
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