參數(shù)資料
型號(hào)： BCP52-10
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
中文描述： 1 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大小： 115K
代理商： BCP52-10
1.
Product profile
1.1 General description
PNP medium power transistor series.
[1]
Valid for all available selection groups.
1.2 Features
I
High current
I
Two current gain selections
I
High power dissipation capability
1.3 Applications
I
Linear voltage regulators
I
High-side switches
I
MOSFET drivers
I
Amplifiers
1.4 Quick reference data
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
Rev. 08 — 25 February 2008
Product data sheet
Table 1.
Type number
[1]
Product overview
Package
NXP
SOT223
SOT89
NPN complement
JEITA
SC-73
SC-62
JEDEC
-
TO-243
BCP52
BCX52
BCP55
BCX55
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
Conditions
open base
Min
-
-
-
63
Typ
-
-
-
-
Max
60
1
1.5
250
Unit
V
A
A
single pulse; t
p
≤
1 ms
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
h
FE
selection -10
63
-
160
h
FE
selection -16
100
-
250
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP52-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
BCP54
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP52-10 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52-10,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP52-10E6327 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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