參數(shù)資料
型號: BC857B
廠商: DIODES INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
中文描述: 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/5頁
文件大小: 44K
代理商: BC857B
DIM.
mm
mils
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
0.85
1.1
33.4
43.3
B
0.65
0.95
25.6
37.4
C
1.20
1.4
47.2
55.1
D
2.80
3
110.2
118
E
0.95
1.05
37.4
41.3
F
1.9
2.05
74.8
80.7
G
2.1
2.5
82.6
98.4
H
0.38
0.48
14.9
18.8
L
0.3
0.6
11.8
23.6
M
0
0.1
0
3.9
N
0.3
0.65
11.8
25.6
O
0.09
0.17
3.5
6.7
0044616/B
SOT-23 MECHANICAL DATA
BC857/BC858
4/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857B-7 High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
BC858A-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC858B-7 PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857A High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
BC858A High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC857B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857B _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC857B RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.1A, 22 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):650mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC857B,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP 100MA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857B,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2