參數(shù)資料
型號(hào)： BC849
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors (NPN)(小信號(hào)晶體管（NPN）)
中文描述： 小信號(hào)晶體管（NPN）的（小信號(hào)晶體管（NPN）的）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 301K
代理商： BC849
Dimensions in inches and (millimeters)
SOT-23
.122 (3.1)
.016 (0.4)
)
.037(0.95) .037(0.95)
m
.016 (0.4)
.016 (0.4)
3
1
2
Top View
.102 (2.6)
.094 (2.4)
.
.
)
.
.
Case:
SOT-23 Plastic Package
Weight:
approx. 0.008 g
Marking code
MECHANICAL DATA
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
Pin configuration
1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector.
FEATURES
Small Signal Transistors (NPN)
5/98
Symbol
Value
Unit
Collector-Base Voltage
BC846
BC847
BC848, BC849
V
CBO
V
CBO
V
CBO
80
50
30
V
V
V
Collector-Emitter Voltage
BC846
BC847
BC848, BC849
V
CES
V
CES
V
CES
80
50
30
V
V
V
Collector-Emitter Voltage
BC846
BC847
BC848, BC849
V
CEO
V
CEO
V
CEO
65
45
30
V
V
V
Emitter-Base Voltage
BC846, BC847
BC848, BC849
V
EBO
V
EBO
6
5
V
V
Collector Current
I
C
100
mA
Peak Collector Current
I
CM
200
mA
Peak Base Current
I
BM
200
mA
Peak Emitter Current
–I
EM
200
mA
Power Dissipation at T
SB
= 50 °C
P
tot
310
1)
mW
Junction Temperature
T
j
150
°C
Storage Temperature Range
T
S
–65 to +150
°C
1)
Device on fiberglass substrate, see layout
BC846 THRU BC849
NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors
for switching and AF amplifier applications.
Especially suited for automatic insertion in
thick- and thin-film circuits.
These transistors are subdivided into three
groups A, B and C according to their current gain. The
type BC846 is available in groups A and B, however, the
types BC847 and BC848 can be supplied in all three
groups. The BC849 is a low noise type available in groups
B and C. As complementary types, the PNP transistors
BC856...BC859 are recommended.
Type
Marking
BC846A
B
BC847A
B
C
1A
1B
1E
1F
1G
Type
Marking
BC848A
B
C
BC849B
C
1J
1K
1L
2B
2C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848UF CAP .15UF 100V CERAMIC MONO 10%
BC856AT PNP general purpose transistors
BC856BT PNP general purpose transistors
BC856UF PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC856W PNP general purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC849AMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC849AW RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC849AW RFG 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, 110A 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
BC849B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:INF NPN transistor,BC849B 0.1A Ic 5Vce
BC849B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS LOW NOISE TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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