型號: | BC847CF |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | High Speed CMOS Logic 8-Bit Serial-In/Parallel-Out Shift Register 14-SOIC -55 to 125 |
中文描述: | 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | PLASTIC, SC-89, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大?。?/td> | 51K |
代理商: | BC847CF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BC847F | High Speed CMOS Logic 8-Bit Parallel-In/Serial-Out Shift Register 16-PDIP -55 to 125 |
BC848CF | NPN general purpose transistors |
BC848F | High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125 |
BC846F | NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
BC847F | High Speed CMOS Logic 8-Bit Parallel-In/Serial-Out Shift Register 16-PDIP -55 to 125 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BC847CF,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847C-G | 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 SM SIGNAL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通): 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
BC847CL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
BC847CLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
BC847CLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |